Компания Toshiba анонсировала очередной прорыв в визуализации наноэлектронных процессов.

Новый метод, основанный на SSRM-микроскопии, позволяет анализировать пути распространения зарядов в наноэлектронике с точностью до 1 нанометра. Это может привести к более быстрому переходу на чипы, изготовленные по техпроцессу ниже 45 нанометров.

Как сообщает PhysOrg, метод был представлен на международном симпозиуме по физике надежности (International Reliability Physics Symposium), который сейчас проходит в Аризоне, США.

Известная на сегодняшний день сканирующая микроскопия сопротивления растекания (Scanning spreading resistance microscopy - SSRM) – основная технология для двумерного картографирования сопротивлений в микро - и наноэлектронных устройствах. Подобная диагностика наносистем необходима для дальнейшего перехода на 45-нанометровый техпроцесс.

Традиционный SSRM лимитирован по разрешению до 5 нанометров из-за водяного пара, попадающего на образец из окружающей среды при исследовании, поэтому результаты проверки наноэлектронных цепей не позволяют с точностью говорить о наличии примесей в устройствах, изготовленных по техпроцессу ниже 45-нанометрового.

Специалисты из Toshiba смогли использовать вакуумную камеру для изоляции образца и оборудования от окружающего воздуха, и, таким образом, предел разрешения удалось поднять до 1 нанометра. На сегодняшний день это наиболее точное разрешение SSRM-техники.

Теперь компания планирует использовать модернизированный SSRM для контроля производства чипов по 45-нанометровому техпроцессу.