Случайные открытия делают только подготовленные умы.
Блез ПАСКАЛЬ, французский математик, физик, литератор и философ

Исследования в области нанотехнологий требуют тесной межотраслевой и междисциплинарной кооперации и постоянного обмена результатами научных исследований и практических достижений, поскольку в данной области тесно переплетаются вопросы и интересы физики, химии и биологии, которые дополняют и обогащают друг друга.

Для изучения атомного строения конструкционных материалов на наноуровне в настоящее время, как правило, применяют эффекты квантовой физики.

Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) — один из важнейших современных методов исследования морфологии и локальных свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением. Однако применительно к наночастицам термин «микроскопия» не отражает сущности процесса, и следует говорить о «наноскопии».

В настоящее время создано целое семейство сканирующих зондовых микроскопов — приборов, в которых исследуемая поверхность сканируется специальной иглой-зондом, а результат регистрируется в виде туннельного тока (туннельный микроскоп), механического отклонения микрозеркала (атомно-силовой микроскоп), локального магнитного поля (магнитный силовой микроскоп), электростатического поля (электростатический силовой микроскоп) и другими способами.

Являясь не только измерительными приборами, но и инструментами, с помощью которых можно формировать и исследовать наноструктуры, зондовые микроскопы призваны стать базовыми физическими метрологическими инструментами XXI века.

Внешний вид сканирующего туннельного микроскопа-анализатора Stereoscan 360 производства фирмы Cambridge Instrument представлен на рис. 22, а типовая схема осуществления СЗМ — на рис. 23.

Упрощенно можно представить, что в сканирующем туннельном микроскопе роль оптического устройства играет тончайшее металлическое (как правило, вольфрамовое) острие, или зонд 4, кончик которого может представлять собой один-единственный атом и иметь размер в поперечнике около 0,2 нм. Пространственные пьезоэлектрические устройства (датчики) 6 прибора имеют возможность устанавливать зонд на расстоянии 1—2 нм от исследуемой поверхности 3 электропроводящего объекта.

В процессе сканирования игла движется вдоль образца. Когда зонд сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) оказывается на расстоянии от поверхности около 10 А, что эквивалентно размеру нескольких атомов (-0,5—1,0 нм), между зондом и образцом устанавливается рабочее напряжение, и электронные облака на конце зонда и ближайшего к нему атома объекта перекрываются. В результате электроны «перескакивают» через зазор. Другими словами, электрический ток из образца начинает проходить через промежуток в иглу или наоборот — в зависимости от знака напряжения, хотя непосредственного контакта между зондом и поверхностью в привычном понимании нет. Нормальные значения этого тока находятся в пределах 1—1000 пА при расстояниях около 1 А от поверхности образца. Величина тока чрезвычайно чувствительна к размеру зазора и обычно при его увеличении на 0,1 нм уменьшается в 10 раз.

Электрический ток протекает благодаря так называемому «туннельному эффекту», из-за которого получил свое название микроскоп. Как уже отмечалось, феномен заключается в том, что электрон может преодолеть энергетический (то есть потенциальный) барьер, образованный разрывом электрической цепи — небольшим промежутком между зондирующим микроострием и поверхностью образца, даже не обладая достаточной энергией, то есть он «туннелирует» сквозь эту преграду (рис. 24).

Возникающий в результате «туннельный ток» изменяется в зависимости от зазора между зондом и образцом по экспоненциальному виду. Сила туннельного тока остается стабильной за счет действия обратной связи, и удлинение следящей системы меняется в зависимости от топографии. Сила протекающего тока измеряется регистрирующим устройством, что позволяет оценить расстояние между зондом и поверхностью образца (ширину туннельного перехода), сканирование которого производится последовательно, атом за атомом, давая высокоточную картину поверхности исследуемого материала.

Пьезоэлектрические двухкоординатные манипуляторы перемещают зонд вдоль поверхности образца, формируя растр почти так же, как в электронном микроскопе. При этом параллельные строки растра располагаются на расстоянии долей нанометра друг от друга. Если бы кончик зонда не повторял профиль поверхности, туннельный ток менялся бы в очень широких пределах, увеличиваясь в моменты прохождения зонда над выпуклостями (например, над атомами на поверхности) и уменьшаясь до ничтожно малых значений при прохождении зазоров между атомами. Однако зонд заставляют двигаться верх и вниз в соответствии с рельефом. Осуществляется это с помощью механизма обратной связи, который улавливает начинающееся изменение туннельного тока и изменяет напряжение, прикладываемое к третьему манипулятору, перемещающему зонд перпендикулярно поверхности, чтобы величина туннельного тока не менялась (то есть зазор между зондом и объектом оставался постоянным). Показания регистрирующего устройства фиксируются, и на их основе строится карта высот нанорельефа исследуемой поверхности.

Изображение нанорельефа поверхности в СТМ формируется двумя путями. По методу постоянного туннельного тока (рис. 25) зонд 1 перемещается вдоль поверхности 2, осуществляя растровое сканирование. При этом изменение напряжения на 2-электроде пьезоэлемента 3 в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности образца) записывается в память компьютера в виде зависимости z = f( x, y), а затем воспроизводится с помощью специального программного обеспечения средствами компьютерной графики. Высокое пространственное разрешение СТМ определяется экспоненциальной зависимостью туннельного тока от расстояния до поверхности. Разрешение по нормали к поверхности достигает долей ангстрема, латеральное же разрешение (по ширине) зависит от качества зонда и определяется не макроскопическим радиусом кривизны кончика острия, а его атомарной структурой. Поскольку зависимость туннельного тока от расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет между поверхностью образца и выступающим атомом на кончике зонда.

По изменениям напряжения на зонде компьютер строит трехмерное изображение поверхности. При этом разрешающая способность микроскопа достигает атомного уровня, то есть могут быть видны отдельные атомы, размеры которых составляют 0,2 нм.

На использование метода накладывается ряд ограничений. Во-первых, электропроводимость образца — поверхностное сопротивление должно быть не больше 20 МОм/см2. Такое ограничение вытекает из самого принципа работы СТМ — для эффективного туннелирования электронов через зазор между поверхностью образца и чувствительным элементом прибора должно быть много свободных электронов (электронных состояний). Поэтому при изучении с помощью СТМ неэлектропроводных веществ необходимо покрывать их металлической пленкой или «привязывать» к их поверхности проводник, например слой золота.

Во-вторых, глубина исследуемой канавки должна быть меньше ее ширины. В противном случае может наблюдаться туннелирование с боковых поверхностей нанорельефа и искажение изображения исследуемого нанорельефа.

На самом деле ограничений в применении СЗМ гораздо больше. Так, малейшие вибрации и шумы, даже вне лаборатории могут нарушить точную настройку прибора и процесс сканирования поверхности. При этом существующая в настоящее время технология «заточки» иглы не гарантирует одного острия на конце иглы, а это может приводить к одновременному сканированию двух разновысоких выступов. За исключением условий глубокого вакуума, во всех остальных случаях на поверхностях имеются различные загрязнения, состоящие из частиц газа и пыли, осажденных из воздуха.

Существенное влияние на достоверность получаемых результатов оказывает механизм сближения. Если при сближении зонда и исследуемой поверхности не удастся избежать непосредственного касания (микроудара) иглы о поверхность образца, то игла не будет иметь необходимую толщину в один атом на кончике призмы.

Возможности сканирующего туннельного микроскопа далеко выходят за задачи микроскопических (точнее, наноско-пических наблюдений). При точном позиционировании зонда над конкретной молекулой и необходимом напряжении можно с его помощью «рассечь» молекулу на отдельные части, оторвав от нее несколько атомов, и исследовать их электронные свойства. Экспериментально установлено, что, прикладывая к зонду необходимое напряжение, можно заставить атомы притягиваться к острию зонда или отталкиваться от него, а также передвигать атомы вдоль поверхности.

Сканирующий туннельный микроскоп стал базовой моделью семейства более совершенных сканирующих микроскопов ближнего поля с зондами-остриями. Задача дальнейших разработок диктовалась стремлением избавиться от основного недостатка прототипа — необходимости электропроводности объектов, так как даже проводники и полупроводники часто покрыты изолирующим слоем оксидных пленок. Особенно это актуально для исследования полимерных и биологических материалов, большинство из которых также не являются электропроводными.

Создание в 1986 году под руководством Г. К. Биннига атомно-силового микроскопа (АСМ) позволило не только рассматривать любые объекты, но и осуществлять необходимые взаимодействия с их поверхностью на наноуровне. Общий вид и зона измерительной головки сканирующего зон-дового микроскопа представлены на рис. 26.

Принцип действия АСМ основан на использовании сил межатомных связей вещества. На малых расстояниях между двумя атомами (около 1 А= 10 8 см), возникают силы отталкивания, а на больших — силы притяжения. Как известно, аналогичные силы действуют между любыми сближающимися телами. При работе АСМ такими телами служат сканируемая поверхность 3 и зонд в виде алмазной иглы 2, который плавно скользит над поверхностью образца (рис. 27). Фактически это та же игла, которая используется в сканирующем туннельном микроскопе. Электронное облако острия алмаза оказывает давление на электронные облака (электрон 2) отдельных атомов образца, порождая отталкивающую силу, которая меняется в соответствии с рельефом поверхности.

Эта сила отклоняет кончик острия, а его перемещения регистрируются с помощью датчиков.

В качестве датчиков в АСМ могут использоваться любые прецизионные измерители перемещений, например оптические, емкостные или туннельные датчики.

Наиболее распространенным зондовым датчиком атом-но-силового взаимодействия является пружинный кантиле-вер (англ. cantilever— консоль) с расположенным на его конце зондом.

Кантилевер представляет собой массивное прямоугольное основание с габаритными размерами примерно 1,5х хЗ,5хО,5 мм и выступающей из него балкой (собственно кан-тилевером) шириной до 0,03 мм и длиной порядка 0,1—0,5 мм. Одна из сторон балки является зеркальной, что позволяет использовать оптическую систему, контролирующую изгиб кантилевера. На противоположном свободном конце балки находится игла, взаимодействующая с измеряемым образцом. Радиус острия иглы промышленных кантилеверов составляет 5—50 нм, лабораторных — от 1 нм. Как правило, вся конструкция, за исключением, быть может, иглы, — это кремниевый монокристалл.

Механизм обратной связи реагирует на изменения оптического хода луча и воздействует на пьезоэлектрический преобразователь, регулирующий высоту, на которой находится образец, так что отклонение держателя остается постоянным.

В АСМ сканирование исследуемой поверхности происходит по «поверхности постоянной силы», тогда как в СТМ — по «поверхности постоянного туннельного тока». Принципы же прецизионного управления, основанного на

обратной связи и улавливающего наноскопические изменения рельефа поверхности, в СТМ и АСМ практически одинаковы.

Атомно-силовой датчик (рис. 28) представляет собой чувствительный зонд в виде иглы 1, позволяющий регистрировать силы взаимодействия между отдельными атомами. При сканировании образца зонд перемещается вдоль поверхности 2, при этом напряжение на z-электроде сканера 3 регистрируется с помощью луча лазера 4 и записывается в память компьютера в качестве рельефа поверхности.

Атомный силовой микроскоп может использоваться для определения рельефа поверхности любых веществ (проводящих и не проводящих ток, а также полупроводников) на наноуровне. С его помощью можно наблюдать всевозможные несовершенства структуры, локализованные на изучаемых поверхностях, например дислокации или заряженные дефекты, а также примеси. Кроме того, АСМ позволяет выявить границы различных блоков, в частности доменов, в кристалле. Он также служит для определения структур физического вакуума, литографии и других прикладных задач.

На первых АСМ давление острия (массой около 1/106 г) было достаточно высоким и значительно искажало форму многих биологических молекул, раздавливало или смещало их из зоны сканирования. Давление увеличивалось из-за наличия тонких пленок воды и загрязнений, неизбежно накапливавшихся как на кончике острия, так и на поверхности исследуемого образца.

При разработке нового семейства сканирующих микроскопов с зондами-остриями давление зонда на поверхность удалось снизить в 10 раз. К таким устройствам относится ближне-польный оптический лазерный силовой микроскоп (рис. 29).

Исследование образца 2 осуществляется внутри капли воды 3, где находится и острие сканера. Нагрузка, которую позволяет отслеживать этот микроскоп, — это малая сила притяжения между исследуемой поверхностью и зондом (кремниевым или вольфрамовым), находящимся от нее на расстоянии от 2 до 20 нм. Она складывается из силы поверхностного натяжения воды в зазоре и слабыми силами Ван-дер-Ваальса. Притягивающая сила очень мала — в 1000 раз меньше межатомного отталкивания в атомно-силовых микроскопах. При перемещении острие вибрирует с частотой, близкой к резонансной. Лазерно-силовой микроскоп регистрирует силу межатомного взаимодействия по ее воздействию на динамику вибрирующего зонда.

Амплитуда измеряется с помощью сенсорного устройства на базе лазера. Для этого используется уже знакомый нам принцип микроскопии — интерферометрия. Лазерный луч расщепляется на два: луч сравнения, который отражается от стационарного зеркала или призмы, и зондирующий луч, отражаемый от обратной стороны острия. Два луча складываются и интерферируют, порождая сигнал, фаза которого чувствительна к изменению длины пути, пройденного зондирующим лучом. Таким образом, интерферометр с помощью луча лазера измеряет вибрации кончика острия (амплитудой до 10~5 нм). Рассмотренный принцип позволяет лазерно-си-ловому микроскопу регистрировать малые неровности рельефа величиной до 5 нм (до 25 атомных слоев).

Оптическая регистрация движения острия обеспечивает более надежное измерение зазора, чем обратная связь по туннельному току, и более мягкое (и в то же время плотное) прикосновение острия.

В настоящее время с помощью АСМ ученые начали достаточно эффективно исследовать различные биологические объекты, например вирусы, гены (особенно молекулы ДНК) и другие макромолекулы в рамках нового, но интенсивно развивающегося и перспективного научного направления — биомолекулярной нанотехнологии. Удалось даже зарегистрировать молекулярный процесс в его развитии — полимеризацию белка фибрина, основного компонента свернувшейся крови.

Бельгийские (Католический университет г. Лувен, университет г. Льежа) и итальянские (университет г. Болоньи) химики разработали методику, позволяющую переносить на подложку отдельные органические молекулы с помощью атомного силового микроскопа. Для эксперимента, который проводился при комнатной температуре, были использованы длинные полимерные молекулы в форме цепочек, которые удерживались на игле АСМ, покрытой слоем золота, за счет хемосорбции. Поверхностная плотность молекул на игле составляла менее 100 нм2. При сближении иглы с кремниевой подложкой, покрытой специальным органическим веществом с химически активными группами NH2, возникала ковалентная связь между цепочкой и подложкой. Эта связь оказывалась прочнее, чем связь «углерод-золото», за счет которой цепочка держался на игле АСМ. Поэтому при удалении иглы от подложки цепочка отрывалась и оставалась на подложке.

Сила, действующая на иглу со стороны цепочки в момент ее отрыва, составляет F « 1 нН. Она возрастает до F ~ 2,5 нН, если игла покрыта слоем SiN. Результаты этого исследования свидетельствуют о принципиальной возможности осуществления химических реакций между всего несколькими молекулами, доставленными иглой АСМ в заданную область поверхности.

Однако и эта конструкция АСМ может привести к загрязнению или даже повреждению объекта. Разработчики во всем мире продолжают исследования и поиск более совершенных конструкций и технических решений в области силовых сканирующих устройств. Так, в магнитно-силовом микроскопе вместо немагнитного вольфрамового или кремниевого острия используется намагниченный никелевый или железный зонд. Когда вибрирующий зонд подводится к исследуемому образцу-магнетику, то сила, воздействующая на кончик острия, изменяет его резонансную частоту и, следовательно, амплитуду колебаний. Такой лазерно-силовой микроскоп позволяет исследовать магнитное поле с разрешением выше 25 нм. С его помощью изучают структуру магнитных битов информации на дисках и других магнитных носителях путем непосредственного контроля качества считывающей головки и запоминающей среды.

В электростатическом силовом микроскопе вибрирующий зонд имеет электрический заряд, а амплитуда его вибраций зависит от электростатических сил, возникающих в результате взаимодействия с зарядами на поверхности образца. С помощью такого микроскопа можно выявлять картину электрофизических свойств различных материалов — концентрацию и распределение легирующих элементов в полупроводниках (например, в кремнии), применяемых для из менения соотношения между концентрациями подвижных отрицательных (электронов) и положительных носителей заряда (дырок).

Методами локальных измерений электросопротивления и спектров рамановского рассеяния учеными обнаружены фазовые переходы в GaAs, Ge, Si, SiC, кварце, алмазе и др., индуцированные высоким давлением в зоне деформации под индентором. Например, в кремнии наблюдаются до пяти фаз высокого давления и аморфизация исходной монокристаллической структуры. Для этого к зазору между зондом электростатического силового микроскопа и исследуемой поверхностью прикладывается напряжение, которое смещает электроны или дырки под зондом, оставляя там заряженную область, электростатически взаимодействующую с острием. Последовательные перемещения острия зонда позволяют точно и с высоким разрешением измерить величину заряда, а следовательно, и количество смещенных электронов или дырок, соответствующее концентрации легирующих атомов.

Зонд растрового термического микроскопа является, по-видимому, самым малым в мире термометром: он позволяет измерять поверхностные изменения температуры в десятитысячную долю градуса на длине в несколько десятков нанометров. Зонд представляет собой вольфрамовую проволочку Диаметром до 30 нм, покрытую никелем, который везде, кроме самой вершины, отделен от вольфрама слоем диэлектрика. Такой вольфрамоникелевый зонд работает как термопаpa, генерируя напряжение, пропорциональное температуре окружающей среды. Когда нагретый кончик зонда приближают к исследуемому (твердотельному) образцу, являющемуся лучшим проводником теплоты, чем воздух, теплопотери кончика острия возрастают. Он охлаждается, и термоЭДС термопары уменьшается пропорционально изменению размера зазора. И наоборот, когда зонд удаляется от образца, термоЭДС увеличивается. Таким образом, потери теплоты выявляют топографию исследуемой поверхности аналогично туннельному току или силам межатомного отталкивания в микроскопах ближнего поля. Растровый термический микроскоп применяют для картографирования температуры в живых клетках или измерения практически незаметных скоростей истечения потоков жидкости или газа.

В основе нового метода — протонной микроскопии, или протонной радиографии, лежит так называемый «эффект теней». В одном из вариантов кристаллический образец «облучают» параллельным пучком протонов, высокая энергия которых (500—1000 кэВ) позволяет им достаточно близко приблизиться к ядрам атомов, составляющих кристаллическую решетку исследуемого образца. Рассеиваясь на ядрах в различных направлениях, протоны «движутся» сквозь кристалл, частично проходят его и засвечивают расположенную с «освещаемой» стороны образца фотопластинку, где образуется специфическая сетка ярких линий с пятнами разных размеров. Она напоминает картины дифракции электронов или рентгеновских лучей на кристаллах. Однако подобие это чисто внешнее, поскольку принципиально различны механизмы их получения. В отличие от первых двух методов, происходит не волновое, а корпускулярное взаимодействие протонов и ядер.

По протонограмме можно определить тип структуры кристалла, кристаллографическую ориентацию, углы между кристаллографическими осями. Ее вид чрезвычайно чувствителен к малейшим деформациям кристаллической решетки. Протонограмма также регистрирует точечные дефекты. Важное ее преимущество — возможность послойного анализа микроструктуры кристаллических образцов без их разрушения, так как, повышая энергию протонов, можно проникать во все более глубокие слои исследуемой поверхности, не ухудшая при этом (что наиболее важно) способность наблюдать отдельные атомы.

Различные АСМ позволяют решать не только прикладные задачи, но и ряд глобальных проблем фундаментальной науки. Например, изучив с помощью АСМ поведение межатомных сил и константы взаимодействий между атомами поверхности и острия, можно сделать достаточно точные выводы о существовании или отсутствии новых фундаментальных взаимодействий и даже о структуре физического вакуума.

В настоящее время выпуск коммерческих нанотестеров осуществляют такие известные мировые производители, как MTS, Hysitron, Micro Photonics, CSM Instruments, а также ряд отечественных фирм ( NT - MDT Co., ЗАО «Наноиндустрия» и др.). Такие нанотестеры обладают разрешением около 1 нН в канале измерения силы, а по перемещению — значительно лучше 1 нм (то есть близкое к атомному разрешению). Многие принципиальные и конструктивные решения в наноте-стерах близки к зондовой сканирующей микроскопии, и некоторые производители объединяют оба типа испытания в одном комбинированном приборе. Это позволяет не только визуализировать микротопографию поверхности, но и исследовать более десятка механических характеристик материала в приповерхностных слоях, покрытиях и пленках толщиной от единиц нанометров до нескольких микрометров, то есть перейти от двухмерного к трехмерному анализу.

Например, сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ) марки NanoEducator позволяет реализовать две основные модификации сканирующего зондового микроскопа: сканирующий туннельный микроскоп и атомно-силовой микроскоп. Он может использоваться не только в учебных, но и в научных целях при исследованиях в области физики и технологии микро - и наноструктур, материаловедения, катализа, физики и химии полимеров, биофизики и др.

На данном оборудовании можно изучать основы сканирующей и атомно-силовой микроскопии, знакомиться с методами зондовой на-нотехнологии, выполнять цикл лабораторных работ, а также заниматься исследованиями различных нанообъектов и наноматериалов.

ЗАО «Наноиндустрия» (г. Москва) выпускает комплекс нанотехнологического оборудования «УМКА» (рис. 30), предназначенный для работ на атомно-молекулярном уровне в области физики, химии, биологии, медицины, генетики и других фундаментальных и прикладных наук.

Комплекс «УМКА» включает в себя туннельный микроскоп 2, систему виброзащиты 1, переносной компьютер со специальным программным обеспечением 3, набор тестовых образцов, наборы расходных материалов и инструментов, а также практическое руководство по использованию.

Высокие характеристики входящего в комплект туннельного микроскопа позволяют использовать комплекс «УМКА» в научно-исследовательских и прикладных работах для определения характеристик материалов и сред на атомно-молекулярном уровне. В частности, для анализа состояния покрытий и поверхностей обработанных деталей, экспресс-анализа в криминалистических и медицинских лабораториях, для исследования электропроводящих поверхностей и ряда других работ на наноуровне.

Достоинствами большинства нанотестеров являются:

·  простота конструкции, не требующей специальной подготовки для работы, так как для установки исследуемого образца и смены зонда достаточно даже лаборантских навыков;

·  отсутствие механических деталей, требующих технического обслуживания (смазывания, замены узлов и т.п.);

·  повышенные виброустойчивость и помехозащищенность, вследствие чего для работы могут использоваться обыкновенные здания со стандартными фундаментами;

·  сохранение работоспособности в условиях вакуума и в неагрессивных газовых средах, что позволяет встраивать нанотестеры в большинство стандартных вакуумных и газонаполненных камер без дополнительных мер по виброзащите и экранированию;

·  сканирование тонких пленок, биологических объектов без предварительного напыления металла;

·  высокая температурная стабильность, позволяющая проводить длительные манипуляции с отдельными группами атомов;

·  высокая скорость сканирования, которая дает возможность наблюдать быстропротекающие процессы;

·  широкий диапазон литографических воздействий.

Благодаря компактности оборудования, относительной доступности методов, а также отсутствию жестких требований к образцу и окружающей среде методы применения на-ноинденторов при СЗМ получают все более широкое распространение; Они позволяют приблизиться к условиям, возникающим в реальных микро - и наноконтактах, и смоделировать контролируемые условия элементарных нанопро-Цессов в исследуемых поверхностях, нано - и микрообъектах. Отдельное направление исследований составляют методы, при которых зонд сканирующего микроскопа является наноиндентором. С его помощью исследуемые поверхности подвергаются многократной нагрузке одной и той же области или нанесению наноцарапин. При этом можно моделировать процессы износа и усталости в приповерхностных слоях, изучать фазовые переходы, индуцированные высоким гидростатическим давлением под индентором, характеристики материала, зависящие от времени, и коэффициенты скоростной чувствительности механических свойств как на стадии погружения, так и на стадии вязкоупругого восстановления отпечатка после снятия разгрузки. Пример такого прибора — универсальный тестер для исследования тонких пленок и покрытий UNMT фирмы Центр Трибологии в США (Компания СЕТЕ).

Этими методами можно также оценивать пористость материалов, величину и распределение внутренних напряжений, толщину и механические свойства тонких слоев и покрытий, исследовать структуру многофазных материалов, определять модули упругости, скорость звука, анизотропию механических свойств и т.д.

Обычно, кроме собственно нанотвердости, определяют степень адгезии, модуль Юнга, плотность, однородность. Рекордными к настоящему времени, по-видимому, являются измерения, проведенные на пленках толщиной в единицы нанометров.

С помощью наноиндентора проводят также исследования электрических токов и химических реакций в малой области поверхности, расположенной близко к атомарному острию зонда. В перспективе такой способ повлечет за собой развитие наноэлектроники нового поколения (так называемой одноэлектроники, то есть приборов, управляемых одним электроном) и нанолитографии — высокоразрешающей технологии локального химического модифицирования поверхности с целью получения сверхвысокой плотности элементов на кремниевой подложке, записи информации и т.п.

На практике достаточно распространен и часто применяется метод электронной оже-спектроскопии ( Auger spectroscopy, AES) —раздел спектроскопии, изучающий энергетические спектры оже-электронов, названных в честь их первооткрывателя, французского физика Пьера Оже ( Pierre Auger), которые возникают при облучении исследуемого вещества электронным пучком.

Спектры оже-электронов широко используются для определения элементного состава газов и поверхности твердых тел, изучения электронного строения и химического состояния атомов в пробе.

Оже-эффект заключается в том, что под действием ионизирующего излучения на одном из внутренних электронных уровней (например, Я -уровне) атома образуется вакансия, на которую переходит электрон с более высокого уровня (например, ^-подуровня). Возникший при переходе электрона избыток энергии может привести к испусканию рентгеновского фотона (излучательный переход) или к выбрасыванию еще одного электрона, например, с подуровня Lx (безызлуча-тельный переход). Этот электрон называют оже-электро-ном.

Оже-эффект наблюдается у всех элементов периодической системы, начиная с лития, причем вероятность его проявления для легких элементов достигает 0,99 и убывает с увеличением порядкового номера элемента. Спектры оже-электронов регистрируют с помощью оже-спектрометров, дающих возможность получать энергетические спектры в виде зависимостей N[ E\- E и [ dN( E)/ dE\- E (рис. 31), где N( E) — выход (или интенсивность тока) оже-электронов, равный числу оже-электронов, испускаемых исследуемым объектом в единицу времени.

По спектрам оже-электронов проводится качественный и количественный элементный анализ пробы. Для этого пользуются спектрами в координатах [ dN( E)/ dE\- E , которые обеспечивают более высокую чувствительность и точность анализа. Элемент, присутствующий в пробе, идентифицируют по значению кинетической энергии Е оже-электронов, поскольку эта величина зависит только от энергии связи электронов на электронных уровнях и, следовательно, определяется природой атомов.

Для выполнения оже-анализа в растровой электронной микроскопии образцы приклеивают эпоксидной смолой на специальную подставку-держатель и от них алмазной пилой с внутренней режущей кромкой отрезают части с необходимыми размерами. Поверхность исследуемых частей образцов очищают ультразвуком в среде ацетона в течение 5—10 мин.

После подготовки образцы устанавливают в оже-спектро-метр, например, марки PHI-590/550 фирмы Perkin Elmer, и с исследуемых участков снимают оже-спектры для обнаружения элементного состава в поверхностных слоях, последовательно удаляя верхние слои бомбардировкой аргоном вплоть до 0,1 мкм. Например, в энергетических спектрах образцов (см. рис. 31) после испытаний в среде стандартного трансмиссионного масла типа «ТНК-Транс-Ойл. Гипоид» с маслорас-творимой медьсодержащей присадкой Renom Transmission (производства компании «Лаборатория триботехнологии») наблюдаются оже-спектры меди (два энергетических всплеска), что свидетельствует об образовании на поверхностях защитных металлических пленок, содержащих медь.

В настоящее время известно достаточно много эффективных методов исследования поверхностей и объектов на наноуровне. Среди них не только рассмотренные выше способы в различном исполнении, которые основаны на регистрации электронов, например дифракция электронов и полевые методы (полевая электронная и ионная спектроскопия), рентгеновская фотоэлектронная и ультрафиолетовая электронная спектроскопия и оже-спектроскопия, но и специфические методы, базирующиеся на дифракции рентгеновского синхротропного излучения; рентгеновская спектроскопия поглощения ( EXAFS, XANS, NEXAFS); мессбауровская спектроскопия; методы ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса.

Описание только принципов исследования и специального оборудования может занять несколько больших книг, поэтому мы не будем утруждать читателя этой специальной информацией.