News image News image News image News image News image News image News image News image


Методы получения тонкопленочных структур
Нанотехнологии в технике - Техника

методы получения тонкопленочных структур

В последние годы, благодаря интенсивным экспериментальным и теоретическим исследованиям, в технологии тонких пленок достигнут значительный прогресс. В зависимости от решаемой задачи в распоряжении исследователей имеются различные методики получения образцов, дающие результатом пленки с воспроизводимыми и стабильными характеристиками. Можно утверждать, что, по крайней мере, для двухкомпонентных веществ, свойства пленочных оксидных структур могут приближаться к свойствам массивных материалов. Отметим, далее, что получение пленок в неравновесных условиях, при интенсивных корпускулярных и фотонных воздействиях, при стимулировании в объеме и на поверхности пленки и подложки сложных многостадийных химических реакций, приводит к тому, что пленочные структуры могут обладать уникальными специфическими свойствами, наблюдение которых в массивных материалах затруднено, а зачастую невозможно.

Тонкие пленки оксидов металлов и полупроводников можно получить различными способами. Простым и часто применяемым способом является термическое окисление. Так термическое окисление кремния - основной метод получения буферных пленок SiO2 при производстве интегральных микросхем. Однако метод термического окисления как правило требует высокотемпературной обработки подложек с металлическими или полупроводниковыми прекурсорами, что не всегда допустимо. Поэтому разработаны достаточно низкотемпературные методы получения пленок основанные на различных формах внешнего осаждения оксидов или их компонентов на подложки. Обычно разделяют методы основанные на физическом и химическом осаждении материалов.

Физические методы осаждения оксидных пленок

Физические методы осаждения различных материалов хорошо известны и достаточно подробно обсуждаются в научной литературе. Можно сказать, что все эти технологии возможны для получения оксидных пленок. Ниже приведен краткий обзор этих методов.

Термическое испарение металлов и полупроводников в вакууме. Оксиды, как правило, имеют высокие температуры плавления, что ограничивает широкое применение этого простого и эффективного метода. Однако для некоторых оксидных систем применение термического испарения возможно и широко применяется, например, для получения пленок V2O5.

Реактивное магнетронное осаждение – один из широко распространенных способов получения оксидных пленок. Обычно используются разные формы DC или RF магнетронного распыления металлических мишеней или RF распыление массивных оксидных мишеней плазмой с различным соотношением Ar и O2. Меняя состав мишени, температуру подложек, состав газовой смеси и мощность разряда можно получать оксиды как высшей, так и низшей степени окисления данного семейства.

Вакуумно-дуговой способ осаждения металлов с одновременной обработкой потоком реактивного газа (кислорода) или его ионами. Использование дугового разряда в парах рабочего вещества позволяет проводить процесс ионного осаждения в высоком вакууме, вследствие чего повышается чистота получаемых пленок. Высокая доля ионной компоненты в потоке металла поступающего на подложку обеспечивает высокую адгезию пленки к подложке. Однако наряду с атомной и ионной компонентой на подложку поступает большое количество капельной и микрокластерной фазы, что приводит к формированию пленок с несовершенной морфологией.

Лазерное распыление металлических и оксидных мишеней в атмосфере кислорода. Лазерное излучение обеспечивает самую высокую плотность энергии на распыляемой поверхности. Это ставит метод лазерной абляции практически безальтернативным методом получения сложных оксидных систем, в состав которых входят элементы с различными коэффициентами распыления. Этот метод успешно применяется для получения многокомпонентных оксидных систем подобных высокотемпературным сверхполупроводникам.

Химические методы осаждения оксидных пленок

Значительный прогресс достигнут при применении различных способов осаждения оксидов металлов из газовой фазы (chemical vapor deposition – CVD). Основа этого процесса относительно проста.

Атомы металла и кислорода поступают к подложке в виде пара. На поверхности подложки происходит адсорбция необходимых компонентов и химическая реакция образования оксида.
Соединения, представляющие интерес для выращивания полупроводниковых структур, при комнатной температуре, как правило, являются жидкостями, хотя некоторые из соединений, используемых в технике CVD, находятся в твердом состоянии. Чаще всего это метиловые или этиловые металлоорганические соединения или гидраты металлов. Эти соединения могут быть легко перенесены в зону реакции в потоке газаносителя, например молекулярного азота или инертного аргона, проходящего через жидкий источник или над поверхностью твердого источника.

Содержащие металл компоненты и газноситель смешиваются в газовой фазе и подвергаются пиролизу в атмосфере кислорода в потоке через реактор открытого типа, действующий при атмосферном или пониженном давлении. Температура пиролиза обычно составляет от 400 до 800°С. Энергия для разогрева газовой смеси подводится от радиочастотного генератора или мощной лампы. Происходит разогрев графитового столика, на котором размещаются подложки. Газовая смесь вблизи подложек также нагревается до высокой температуры, тогда как стенки камеры реактора остаются холодными, например за счет водяного охлаждения. Такой режим обеспечивает осаждение продуктов реакции на подложках и приводит к относительно малым потерям компонентов реакции на стенках камеры. Кристаллизация в процессе CVD возникает при прохождении газовой смеси компонентов реакции в потоке газаносителя вблизи нагретой подложки и идет в условиях, близких к термодинамическому равновесию и при использовании монокристаллических подложек можно обеспечить рост эпитаксиальных оксидных пленок.

Анодное окисление - способ получения тонких пленок оксидов переходных металлов

Электрохимическое (анодное) окисление - это процесс получения оксидных плёнок на поверхности металлов и полупроводников при анодной поляризации в кислородосо-держащих средах с ионной проводимостью: в растворах и расплавах электролитов, в плазме газового разряда в кислороде, а также в контакте с твёрдыми электролитами. По сравнению с другими способами получения собственных оксидов на поверхности металлов (термическое, химическое оксидирование), электрохимическое (ЭХ) окисление имеет ряд преимуществ. В частности, анодное окисление является одним из наиболее удобных способов (а в некоторых случаях, повидимому, и единственно возможным способом) получения тонких оксидных плёнок в неравновесных условиях с образованием метастабильных структурных и химических фаз.

Механизм анодного окисления связан с переносом металла и кислорода через растущий оксидый слой под действием электрического поля, возникающего в плёнке при приложении напряжения и реакциями фазообразования на внутренних и внешних границах оксида. Теория микроскопического механизма ионного переноса при анодном окислении довольно сложна и находится на уровне модельных представлений. Наиболее разработанными являются модели движения ионных дефектов и механизмы типа обмена местами и переключения связей . Описание процесса окисления осложняется наличием границ металлоксид и оксидэлектролит, сложным гетерогенным строением оксида, а также возможностью протекания побочных реакций: разряда кислорода и растворения оксидной плёнки. Тем не менее, кинетические закономерности образования анодных оксидных плёнок и их свойства для многих металлов и полупроводников достаточно хорошо изучены и рассмотрены в ряде обзорных работ.

Методика и теория процесса электрохимического окисления наиболее детально разработаны для так называемых вентильных металлов: в первую очередь это Al, Ta, Nb, а также Ti, Zr, Hf, W, Bi, Sb. На этих металлах можно получить достаточно толстые (до 5000 Å), плотные, однородные оксидые плёнки, обладающие хорошими антикоррозион-ными свойствами и высоким электросопротивлением.

Необходимо отметить, что с практической точки зрения основой целью изучения анодного окисления всегда было определение условий получения АОП, обладающих высококачественными диэлектрическими свойствами, т.к. главной областью применения этих плёнок (в частности - Ta2O5, Nb2O5, Al2O3) является производство оксиднополупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов. Для оксидов, являющихся хорошими электронными проводниками, задача получения их методом анодного окисления осложняется тем, что достаточная напряжённость поля достигается только в слоях толщиной в несколько нанометров. Дальнейший рост оксидной плёнки прекращается, на аноде начинается выделение кислорода или растворение металла. Напомним, что важнейшей особенностью взаимодействия металлов переходных групп с кислородом является переменная валентность, связанная с существованием незаполненной d-оболочки. Вследствие этого при анодном окислении этих металлов возможно образование слоёв оксидов различного состава. Как правило, АОП состоит в основном из оксида высшей валентности (например - Ta2O5, Nb2O5, TiO2), а на границе с металлом существуют слои оксидов низшей валентности. Состав и толщина таких слоёв определяются условиями окисления , что позволяет в некоторых случаях модифицировать способ анодного окисления для формирования достаточно толстых слоев низших оксидов переходных металлов.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Применение нанотехнологий

Наноcтержни: бегом по воде

News image

Трансляционная мобильность vtran ролика как функция удельной силы f, приложенной вдоль молекул ПАВ. Транспортировка наноразмерных по...

Куда ведут наноамбиции?

News image

В сегодняшней России щетину успешно заменяют нанотехнологии... Когда я читаю о нанотехнологиях в наших газетах, то хо...

Фотонные нанокристаллы – лучший теплоизо

News image

Вакуум не только является проблемой космических путешественников, но и является одним из лучших теплоизоляторов в пр...

Русские собираются направить к Марсу оби

News image

Президент Дмитрий Медведев заявил о том, что Россия потратит 600 миллионов долларов США на строительство ко...

Нанокерамика выдерживает до 1400 градусо

News image

Исследователям из General Electric (GE) удалось создать новый тип высокотемпературной и надежной нанокерамики, которая будет во...

Honda совершает научный прорыв в области

News image

Стало известно, что компания Honda, совместно с учеными Университета Пурду (Purdue University) и Университета Луисвилла (U...

В России появится принципиально новая на

News image

В России появится принципиально новая наука на основе нанотехнологий, биотехнологий, информационных технологий, специально ориентированных на ра...

IT-байки: термоэлектрические нанотехноло

News image

Очередной воскресный выпуск IT-баек мне вновь хотелось бы посвятить теме несовершенства современного мира. Ес...

Новости нанотехнологий

Кремниевые нанотрубки выращивают без применения золота

Кремниевые нанопроволоки помогут уменьшить размеры микрочипов. Ученые из Института Физики микроструктур Макса Планка в Галле впервые разработали нанопроволоки на кре...

Казавшаяся трудноразрешимой задача придания изделиям из

Казавшаяся трудноразрешимой задача придания изделиям из графена желаемой формы оказалась подвластна капелькам воды – о пластичности графеновых наноструктур сообщают химики из...

Влияние полярности электрического поля на рост вертикал

Одно из наиболее перспективных направлений использования углеродных нанотрубок (УНТ) связано с разработкой холодных полевых эмиттеров на их основе. Уникальные особенности та...

Наноальтернатива таблеткам

  Одним из первых медицинских применений нанотехнологии стало разработанное учеными из США быстродействующее лекарство от импотенции, которое сможет соперничать таблетками Частицы препарата ...

Композиты медицинские «MBM — ЛН»

Справка о применении в клинической практике композитного материала «MBM — ЛН» Композитный материал «MBM — ЛН» представляет собой ткань черного цвета. Развитая по...

More in: Технологии, Наноматериалы, Наномедицина, НаноТехника , Новости

Популярные заметки:

Космический лифт и нанотехнологии

От фантастики к реальности КОСМИЧЕСКИЙ ЛИФТ - это лента, один конец которой присоединен к поверхности Земли, а другой находится на...

Medfield - атомная платформа третьего поколения

Компания Intel с громкого успеха начала освоение платформы для ультрамобильных персональных компьютеров, известных также как нетбуки, и MID-аппаратов – только по...

Волокнисто игольчатый композит

Текстильный материал черного цвета состоящий из случайно орентированых углеродних волокон и нитевидных кристалов. Электропроводен, стойкий к контактной электроэрозии, агресивным середам, эл...

Физики создали новую форму углерода

В графите каждый слой повернут относительно нижележащего на 60 градусов (на иллюстрации). В МЭГ этот угол равен 30 градусам. МЭГ состоит из углеродных сл...

Немецкий лазерный пинцет удостоен американской премии

Немецкая компания JPK Instruments (Берлин) была удостоена американской премии Prism Award for Photonics Innovation. Всего международное жюри оценивало более 135 прод...

Your are currently browsing this site with Internet Explorer 6 (IE6).

Your current web browser must be updated to version 7 of Internet Explorer (IE7) to take advantage of all of template's capabilities.

Why should I upgrade to Internet Explorer 7? Microsoft has redesigned Internet Explorer from the ground up, with better security, new capabilities, and a whole new interface. Many changes resulted from the feedback of millions of users who tested prerelease versions of the new browser. The most compelling reason to upgrade is the improved security. The Internet of today is not the Internet of five years ago. There are dangers that simply didn't exist back in 2001, when Internet Explorer 6 was released to the world. Internet Explorer 7 makes surfing the web fundamentally safer by offering greater protection against viruses, spyware, and other online risks.

Get free downloads for Internet Explorer 7, including recommended updates as they become available. To download Internet Explorer 7 in the language of your choice, please visit the Internet Explorer 7 worldwide page.