Корпорация IBM провела две серии лекций, в которых обсуждались проблемы методов и технологий производства полупроводниковых устройств. Презентации “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” были посвящены микротехнологиям, в то время как на других, “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects”- снижение потребляемой устройствами мощности.

В создании кремниевых чипов можно использовать проектные нормы 15 нанометров, 11 нанометров и еще более точные технические процессы, заявил представитель IBM Research Division. Однако для того, чтобы это стало возможным, необходимо пересмотреть подход к существующей структуре полупроводниковых приборов и, кроме того, применять полностью обеднённые транзисторы.

FinFET-транзисторы, ETSOI и нано-нити целесообразно использовать в “сверхтонких” технических процессах.

При переходе к таким стандартам, станет невозможным увеличение производительности микросхем при применении микротехнологий на том уровне, как у чипов 32-нм и 22-нм поколений. В чипах “10-нм класса” эта проблема будет решена с помощью масштабирования длины затвора, ширины канала транзистора и напряжения питания.