Большинство экспериментальных исследований электронных свойств графена выполнено на однослойных образцах “толщиной” в один атом. Между тем и с фундаментальной, и с практической точек зрения большой интерес представляет вопрос о том, как эти свойства изменяются при увеличении числа слоев N. Но даже при N = 2 электронный беспорядок оказывается столь значительным, что подвижность носителей заряда резко уменьшается, в результате чего многие эффекты наблюдать не удается. Сотрудники Гарвардского университета изготовили очень качественные образцы двухслойного графена, “подвесив” их над подложкой [1] (см. рис.).

Двухслойный графен между двумя металлическими
контактами.

Они обнаружили квантование холловской проводимости xy = e2/h в магнитном поле H ~ 0.1 Тл, что на порядок меньше, чем в графеновом монослое, причем  = 0, 1, 2, 3, то есть снимается восьмикратное вырождение нижнего уровня Ландау в биграфене. Проанализировав полученные результаты, авторы пришли к выводу, что расщепление этого уровня в ~ 10 раз больше, чем предсказывают все без исключения одночастичные модели. Следовательно, наиболее вероятной причиной такого расщепления является межэлектронное взаимодействие. Сильные кулоновские корреляции в сочетании с электрон-дырочной симметрией могут привести к ряду новых необычных эффектов.